赛微电子:聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平
时间:2024-03-18 07:31来源:未知 作者:admin 点击:63

  同花顺300033)金融研究中心03月17日讯,有投资者向赛微电子300456)提问, 董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材料及器件的研发生产能力和在研制 8 英寸硅基氮化镓外延晶圆方面在业界处于什么水平?谢谢

  公司回答表示,您好,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。谢谢关注!

(责任编辑:admin)

关键词:

本文相关评论
栏目导航
相关搜索
最新标签

联系我们 -